机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7, 页码: 4497 作者:  Guijuan Zhao;  Huijie Li;  Lianshan Wang;  Yulin Meng;  Zesheng Ji 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/05/23 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/23 Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329 作者:  Fangzheng Li;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Huijie Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/05/23 Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 078102 作者:  Zesheng Ji;  Lianshan Wang;  Guijuan Zhao;  Yulin Meng;  Fangzheng Li 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/05/23