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  • 2020 [3]
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High-Frequency Switching Properties and Low Oxide Electric Field and Energy Loss in a Reverse-Channel 4H-SiC UMOSFET 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 10, 页码: 4046-4053
作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang ;   Member;   IEEE;   Guoguo Yan;   Zhengxin Wen;   Wanshun Zhao;   Lei Wang;   Xingfang Liu;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng
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Effects of annealing on the interfacial properties and energy-band alignment of AlN dielectric on 4H–SiC 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 117, 期号: 10, 页码: 102105
作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang;   Jun Chen;   Zhao Fu;   Xingfang Liu;   Guoguo Yan;   Bowen Lv;   Yinshu Wang;   Lei Wang;  Wanshun Zhao;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/05/25
Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352
作者:  Yawei He ;  Guoguo Yan ;   Zhanwei Shen;   Wanshun Zhao ;   Lei Wang ;   Xingfang Liu ;  Guosheng Sun;   Feng Zhang ;   Yiping Zeng
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