机构

• 微电子研究所 [17]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 外文期刊 [17]

发表日期

• 2010 [6]
• 2009 [6]
• 2008 [3]
• 2007 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 pi-type lowpass filter for wideband noise suppression in small size package 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Cao, L;  Zhou, J;  Wang, Q;  Wan, L;  Li, J   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/26 A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, M;  Liu, S;  Liu, Q;  Zhang, MH;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Zro2   Titanium-tungsten nanocrystals embedded in a SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Liu, M;  Long, SB;  Zhang, MH;  Wang, Q;  Yang, SQ   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3   Silicon nanocrystals synthesized by electron-beam co-evaporation method and their application for nonvolatile memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Jia, R;  Chen, C;  Liu, M;  Li, WL;  Zhu, CX   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Energy Ion-beam  Si Nanocrystals  Emission  Density  Devices   Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q;  Wang, Q   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Applications  Oxide-films  Resistance   Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊  OAI收割 2009 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory  Resistance  Films