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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2009 [3]
学科主题
光电子学 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
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High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703
Xue HY (Xue Hai-Yun)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Yu YD (Yu Yu-De)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/11/01
Germanium
photodetectors
saturation power
silicon-on-insulator (SOI) technology
ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD)
1 x 4 Ge-on-SOI PIN Photodetector Array for Parallel Optical Interconnects
期刊论文
OAI收割
journal of lightwave technology, 2009, 卷号: 27, 期号: 24, 页码: 5687-5689
Xue CL (Xue Chunlai)
;
Xue HY (Xue Haiyun)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Hu WX (Hu Weixuan)
;
Yu YD (Yu Yude)
;
Wang QM (Wang Qiming)
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浏览/下载:230/40
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提交时间:2010/03/08
Integrated optoelectronics
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
收藏
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544
作者:
Xue CL
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提交时间:2010/03/08
Si-based
Ge
epitaxy
photodetector