机构

• 半导体研究所 [58]
• 上海微系统与信息技... [20]
• 西安光学精密机械研... [15]
• 近代物理研究所 [9]
• 高能物理研究所 [7]
• 新疆理化技术研究所 [4]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [106]
• iSwitch采集 [22]

内容类型

• 期刊论文 [104]
• 会议论文 [13]
• 专利 [5]
• 学位论文 [4]
• 外文期刊 [2]

发表日期

• 2022 [2]
• 2021 [2]
• 2020 [2]
• 2019 [3]
• 2018 [2]
• 2017 [8]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [26]
• 微电子学 [7]
• optics [5]
• 半导体材料 [3]
• 半导体器件 [2]
• 半导体物理 [2]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共128条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2];  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2];  Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   A Compact Optical MEMS Pressure Sensor Based on FabryPerot Interference 期刊论文  OAI收割 Sensors, 2022, 卷号: 22, 期号: 5 作者:  Y. Qi;  M. Zhao;  B. Li;  Z. Ren;  B. Li and X. Wei   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14 Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2022/01/24 SEE  SEU  SOI SRAM  C   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)   The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558 作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/07/06 Total ionizing dose  h-shape gate  channel width  partially depleted   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484 作者:  Nishimura, Ryutaro;  Arai, Yasuo;  Miyoshi, Toshinobu;  Hirano, Keiichi;  Kishimoto, Shunji 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/04/22 Soi  Pixel detector  Daq  Fpga  X-ray imaging   Development of a new high-speed readout system for soi pixel detectors 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 2019, 卷号: 924, 页码: 480-484 作者:  Nishimura, Ryutaro;  Arai, Yasuo;  Miyoshi, Toshinobu;  Hirano, Keiichi;  Kishimoto, Shunji 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/04/22 Soi  Pixel detector  Daq  Fpga  X-ray imaging   Directional Coupling and Spin Routing in Catenary-Shaped SOI Waveguide 期刊论文  OAI收割 IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 415-418 作者:  Guo, Yinghui;  Pu, Mingbo;  Li, Xiong;  Ma, Xiaoliang;  Luo, Xiangang   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/05/06 Directional coupling  integrated optical waveguide  metasurfaces  spin-orbit interaction   The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100 作者:  Gu, Song;  Liu, Jie;  Bi, Jinshun;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/07/16 Energy dependence  heavy ions  nuclear reactions  silicon-on-insulator (SOI) technology  single event upset (SEU)