机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [4]

学科主题

• 光电子学 [4]
• 半导体器件 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Uneven splitting-ratio 1x2 multimode interference splitters based on silicon wire waveguides 期刊论文  OAI收割 chinese optics letters, 2011, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 82303 Zhou JT; Shen HJ; Jia R; Liu HM; Tang YD; Yang CY; Xue CL; Liu XY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/14 DEVICES   High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703 Xue HY (Xue Hai-Yun); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Yu YD (Yu Yu-De); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/11/01 Germanium  photodetectors  saturation power  silicon-on-insulator (SOI) technology  ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD)   1 x 4 Ge-on-SOI PIN Photodetector Array for Parallel Optical Interconnects 期刊论文  OAI收割 journal of lightwave technology, 2009, 卷号: 27, 期号: 24, 页码: 5687-5689 Xue CL (Xue Chunlai); Xue HY (Xue Haiyun); Cheng BW (Cheng Buwen); Hu WX (Hu Weixuan); Yu YD (Yu Yude); Wang QM (Wang Qiming) 收藏  |  浏览/下载：230/40  |  提交时间：2010/03/08 Integrated optoelectronics   Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001 作者:  Xue CL;  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：62/2  |  提交时间：2010/03/08 porous anodic alumina mask  silicon nanopore array structure  pattern transfer   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/08 Si-based  Ge  epitaxy  photodetector