机构

• 半导体研究所 [41]

采集方式

• OAI收割 [27]
• iSwitch采集 [14]

内容类型

• 期刊论文 [35]
• 会议论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 2004 [6]
• 2003 [2]
• 2002 [2]
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学科主题

• 光电子学 [10]
• 半导体物理 [8]
• 半导体材料 [5]
• 半导体器件 [3]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER   Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文  OAI收割 2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004 Zeng, YX (Zeng, Yuxin); Liu, W (Liu, Wei); Yang, FH (Yang, Fuhua); Xu, P (Xu, Ping); Tan, PH (Tan, Pingheng); Zheng, HZ (Zheng, Houzhi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Xing, YJ (Xing, Yingjie); Yu, DP (Yu, Dapeng) 收藏  |  浏览/下载：98/31  |  提交时间：2010/03/29 InAs quantum dot  photoluminescence  modulation-doped  field effect transistor  MU-M  CAPPING LAYER   Optical properties of highly ordered aln nanowire arrays grown on sapphire substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 19, 页码: 3 作者:  Zhao, Q;  Zhang, HZ;  Xu, XY;  Wang, Z;  Xu, J 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Optical properties of highly ordered AlN nanowire arrays grown on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 19, 页码: art.no.193101 Zhao Q; Zhang HZ; Xu XY; Wang Z; Xu J; Yu DP; Li GH; Su FH 收藏  |  浏览/下载：46/20  |  提交时间：2010/03/17 FIELD-EMISSION PROPERTIES   Hexagonal selenium nanowires synthesized via vapor-phase growth 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physical chemistry b, 2004, 卷号: 108, 期号: 15, 页码: 4627-4630 作者:  Ren, L;  Zhang, HZ;  Tan, PH;  Chen, YF;  Zhang, ZS 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Luminescence emission originating from nitrogen doping of beta-ga2o3 nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2004, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 期刊论文  OAI收割 micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480 Luo, XH; Wang, RM; Zhang, XP; Zhang, HZ; Yu, DP; Luo, MC 收藏  |  浏览/下载：145/32  |  提交时间：2010/03/09 transmission electron microscopy  electron energy loss spectroscopy  molecular beam epitaxy  gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXY  LAYER   Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文  OAI收割 international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003 Luo XH; Wang RM; Zhang XP; Zhang HZ; Yu DP; Luo MC 收藏  |  浏览/下载：18/1  |  提交时间：2010/10/29 transmission electron microscopy  electron energy loss spectroscopy  molecular beam epitaxy  gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXY  LAYER   Hexagonal selenium nanowires synthesized via vapor-phase growth 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry b, 2004, 卷号: 108, 期号: 15, 页码: 4627-4630 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：285/80  |  提交时间：2010/03/09 LASER-ABLATION   Luminescence emission originating from nitrogen doping of beta-Ga2O3 nanowires 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2004, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: art.no.075304 Song, YP; Zhang, HZ; Lin, C; Zhu, YW; Li, GH; Yang, FH; Yu, DP 收藏  |  浏览/下载：85/25  |  提交时间：2010/03/09 SINGLE-CRYSTALS