中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
  • 光电子学 [6]
筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
条数/页： 排序方式：
A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 30, 30, 期号: 10, 页码: 104205, 104205
作者:  Chen, P;  Zhao, DG;  Feng, MX;  Jiang, DS;  Liu, ZS
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/04/09
Ferromagnetic modification of GaN film by Cu+ ions implantation 期刊论文  OAI收割
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：100/5  |  提交时间：2010/04/22
Fabrication and Characterization of High Power InGaN Blue-Violet Lasers with an Array Structure 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 054204
Ji L (Ji Lian); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang LQ (Zhang Li-Qun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Duan LH (Duan Li-Hong); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：108/5  |  提交时间：2010/05/24
DIODES  
GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 5350-5353
作者:  Wang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Yang H;  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/04/05
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN 期刊论文  OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107
作者:  Yang H;  Lu GJ;  Zhang SM;  Zhao DG;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：66/1  |  提交时间：2010/03/08
PIXE analysis of Fe content in Fe-implanted GaN film 期刊论文  OAI收割
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2006, 卷号: 252, 期号: 2, 页码: 225-229
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29
PIXE