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苏州纳米技术与纳米... [48]
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OAI收割 [48]
内容类型
期刊论文 [48]
发表日期
2016 [30]
2015 [6]
2014 [1]
2013 [7]
2010 [1]
2009 [2]
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共48条,第1-10条
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
OAI收割
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 213, 期号: 8
作者:
Li, X
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 96
作者:
Liu, W
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21
作者:
Wen, PY(温鹏雁)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, LQ(张立群)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/03/11
Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:
Li, X
;
Liu, ZS
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses
期刊论文
OAI收割
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/11
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11