机构

• 半导体研究所 [3]
• 国家空间科学中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [4]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The on-orbit calibration of DArk Matter Particle Explorer 期刊论文  OAI收割 Astroparticle Physics, 2019, 卷号: 106, 页码: 18-34 作者:  Ambrosi, G.;  An, Q.;  Asfandiyarov, R.;  Azzarello, P.;  Bernardini, P.   |  收藏  |  浏览/下载：160/0  |  提交时间：2018/12/11 Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287 作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/07/31 Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/04 The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179 作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/07/31