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  • 2022 [3]
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Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9
作者:  Yan, Bing;  Zhang, Guoxin;  Ning, Bo;  Chen, Sikai;  Zhao, Yang
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High zero-bias responsivity induced by photogating effect in asymmetric device structure 期刊论文  OAI收割
OPTICAL MATERIALS, 2022, 卷号: 124, 页码: 7
作者:  Gao, Kaicong;  Ran, Shuling;  Han, Qin;  Yang, Qi;  Jiang, Hao
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Ultra-Thin GeSe/WS2 Vertical Heterojunction with Excellent Optoelectronic Performances 期刊论文  OAI收割
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2022, 页码: 7
作者:  Yan, Bing;  Ning, Bo;  Zhang, Guoxin;  Zhou, Dahua;  Shi, Xuan
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