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机构
半导体研究所 [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2009 [5]
2008 [3]
2003 [1]
1988 [1]
1986 [1]
学科主题
半导体物理 [11]
筛选
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104
作者:
Wang LJ
;
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/03/08
DENSITIES
CRYSTALS
LAYERS
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:130/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Duan LH (Duan Li-Hong)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yang H (Yang Hui)
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提交时间:2010/03/08
GaN
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Wang, YT
;
Yang, H
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
EPITAXIAL GAN
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
FILMS
Structural properties of ne implanted GaN
期刊论文
OAI收割
physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601
作者:
Zhu JJ
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浏览/下载:44/2
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提交时间:2010/03/08
RAMAN-SCATTERING
Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique
期刊论文
OAI收割
science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:197/6
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提交时间:2010/08/12
GaN
x-ray diffraction
thickness
SAPPHIRE
GROWTH
FILMS
MODULATION-DOPED ALXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURES WITH PARALLEL CONDUCTING LAYER IN ALXGA1-XAS
期刊论文
OAI收割
physica status solidi b-basic research, 1988, 卷号: 145, 期号: 2, 页码: k111-k114
JIANG PH
;
ZHU YT
;
SUN DZ
;
ZENG YP
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提交时间:2010/11/15