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• 半导体物理 [29]

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst 期刊论文  OAI收割 nano research, NANO RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 4, 4, 期号: 4, 页码: 343-359, 343-359 作者:  Fasoli A;  Colli A;  Martelli F;  Pisana S;  Tan PH   |  收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05 CdSe  nanowires  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS  LIQUID-SOLID MECHANISM  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON NANOWIRES  SI NANOWIRES  ZNSE NANOWIRES  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  STRUCTURAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  Cdse  Nanowires  Photoluminescence  Chemical-vapor-deposition  Shape-selective Synthesis  Liquid-solid Mechanism  Optical-properties  Silicon Nanowires  Si Nanowires  Znse Nanowires  Semiconductor Nanocrystals  Structural-properties  Epitaxial-growth   Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2010, 2010, 卷号: 114, 114, 期号: 11, 页码: 4841-4845, 4841-4845 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Li JB (Li Jingbo);  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：79/17  |  提交时间：2010/04/13 1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS  1st-principles Calculations  Molecular-dynamics  Indium-phosphide  Exciton-states  Small Pbse  Nanocrystals  Photoluminescence  Generation  Nanowires  MOLECULAR-DYNAMICS  INDIUM-PHOSPHIDE  EXCITON-STATES  SMALL PBSE  NANOCRYSTALS  PHOTOLUMINESCENCE  GENERATION  NANOWIRES   Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 52, 页码: 21506-21511 Gai YQ(盖艳琴); Peng HW(彭浩为); Li JB(李京波) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/04 MULTIPLE EXCITON GENERATION  AUGMENTED-WAVE METHOD  1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS  COLLOIDAL PBSE  SURFACE  PSEUDOPOTENTIALS  NANOCRYSTALS  RELAXATION  INTERBAND   Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113304 Li, JB; Wei, SH; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：52/6  |  提交时间：2010/03/08 ZNSE NANOCRYSTAL EMITTERS  CDSE NANOCRYSTALS  EFFICIENT  CHEMISTRY   Controllable electron g-factors in HgMnTe quantum spheres 期刊论文  OAI收割 epl, 2008, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 37004 Zhu, YH; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：45/4  |  提交时间：2010/03/08 DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  SPIN  HG1-XMNXTE  MAGNETOABSORPTION  NANOCRYSTALS  TEMPERATURE  CD1-XMNXTE  EXCHANGE  DOTS   Electron g factors and optical properties of InAs quantum ellipsoids 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 20, 页码: 4945-4954 Zhang XW; Zhu YH; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/11 COLLOIDAL SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  SHAPE-CONTROL  DEPENDENT PROPERTIES  CDSE NANOCRYSTALS  LEVEL STRUCTURE  DOTS  MECHANISMS  EVOLUTION  RODS  INSB   Electroluminescence afterglow from indium tin oxide/Si-rich SiO2/p-Si structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1306-1309 Wang XX; Zhang JG; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 SILICON NANOCRYSTALS  SI  PHOTOLUMINESCENCE  EVOLUTION   Electronic structure of InSb quantum ellipsoids in an external magnetic field 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 57-63 Zhu YH (Zhu Y. H.); Zhang XW (Zhang X. W.); Xia JB (Xia J. B.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 InSb  quantum ellipsoid  g factor  LEVEL STRUCTURE  DOTS  SEMICONDUCTORS  NANOCRYSTALS   Comparative study for colloidal quantum dot conduction band state calculations 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: art.no.143108 Luo JW; Li SS; Xia JB; Wang LW 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRONIC-STRUCTURE  SI NANOCRYSTALS  LEVEL STRUCTURE  P METHOD  CONFINEMENT  CLUSTERS   Electronic structure and electron g factors of HgTe quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1815-1820 Zhang XW; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 MERCURY TELLURIDE NANOCRYSTALS  INFRARED LUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  ROUTE