中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
微电子研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
外文期刊 [8]
发表日期
2009 [4]
2007 [2]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
内容类型:外文期刊
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Liu, M
;
Li, YT
;
Zhang, S
;
Liu, Q
;
Long, SB
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Diodes
Films
Dependence
Resistance
Density
Zro2
Sio2
Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Liu, M
;
Zhang, S
;
Guan, WH
;
Liu, Q
;
Wang, Q
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Memory Applications
Oxide-films
Resistance
Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Liu, M
;
Abid, Z
;
Wang, W
;
Liu, Q
;
Guan, WH
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Memory
Resistance
Films
Fully Room-Temperature-Fabricated Nonvolatile Resistive Memory for Ultrafast and High-Density Memory Application
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Yang, YC
;
Pan, F
;
Liu, Q
;
Liu, M
;
Zeng, F
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Zno Films
Resistance
Devices
Analyzing conductance of mixed carbon-nanotube bundles for interconnect applications'
外文期刊
OAI收割
2007
作者:
Haruehanroengra, S
;
Wang, W
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Single-wall
Resistance
Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide
外文期刊
OAI收割
2007
作者:
Guan, WH
;
Long, SB
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Resistance
Films
Devices
Srtio3
The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication
外文期刊
OAI收割
2001
作者:
Xu, QX
;
Qian, H
;
Yin, HX
;
Jia, L
;
Ji, HH
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/26
p+-polysilicon Gate
Ge Preamorphization
Thin-films
Oxides
Transformation
Suppression
Resistance
Extension
Salicide
Mosfet
New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology
外文期刊
OAI收割
1998
作者:
Xu, QX
;
Hu, CM
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Thin-films
Tisi2
Silicon
Transformation
Phase
Agglomeration
Resistance
Stability
Devices