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Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB
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Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q;  Wang, Q
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Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH
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Fully Room-Temperature-Fabricated Nonvolatile Resistive Memory for Ultrafast and High-Density Memory Application 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  Yang, YC;  Pan, F;  Liu, Q;  Liu, M;  Zeng, F
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Analyzing conductance of mixed carbon-nanotube bundles for interconnect applications' 外文期刊  OAI收割
2007
作者:  Haruehanroengra, S;  Wang, W
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Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide 外文期刊  OAI收割
2007
作者:  Guan, WH;  Long, SB
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The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割
2001
作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH
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New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊  OAI收割
1998
作者:  Xu, QX;  Hu, CM
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