机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Miao, Shanshan;  Deng, Aihong;  Yang, Jun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519 Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Miao, SS (Miao, Shanshan); Deng, AH (Deng, Aihong); Yang, J (Yang, Jun); Wang, B (Wang, Bo) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/29 DOPED SEMIINSULATING INP