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• 半导体研究所 [9]

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• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 作者:  Liu, J. M.;  Liu, X. L.;  Xu, X. Q.;  Wang, J.;  Li, C. M. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence band offset  W-inn/h-bn heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 作者:  Sun, Lili 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Stability and photoemission characteristics for gaas photocathodes in a demountable vacuum system 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 17, 页码: 3 作者:  Zou, Jijun;  Chang, Benkang;  Yang, Zhi;  Qiao, Jianliang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Stability of gaas photocathodes under different intensities of illumination 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113 作者:  Zou Ji-Jun;  Chang Ben-Kang;  Yang Zhi;  Gao Pin;  Qiao Jian-Liang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gaas photocathode  Stability  Quantum efficiency  Surface potential barrier   Comparison between gradient-doping gaas photocathode and uniform-doping gaas photocathode 期刊论文  iSwitch采集 Applied optics, 2007, 卷号: 46, 期号: 28, 页码: 7035-7039 作者:  Yang, Zhi;  Chang, Benkang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Photovoltaic and electroluminescence characters in hybrid zno and conjugated polymer bulk heterojunction devices 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 1350-1353 作者:  Liu Jun-Peng;  Qu Sheng-Chun 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Improved field emission properties from metal-coated diamond films 期刊论文  iSwitch采集 Diamond and related materials, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 650-653 作者:  Zhao, Yongmei;  Zhang, Binglin;  Yao, Ning;  Sun, Guosheng;  Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Mwpcvd diamond films  Metal coatings  Field emission properties   The effect of be-doping structure in negative electron affinity gaas photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 作者:  Wang, XF;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Du, XQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Structure  Nea  Integrated photosensitivity  Gaas  Cs : o   Structural properties and raman measurement of aln films grown on si (111) by nh3-gsmbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235 作者:  Luo, MC;  Wang, XL;  Li, JM;  Liu, HX;  Wang, L 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Raman  Transmission electron microscopy  Molecular beam epitaxy  Aluminium nitride