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• 半导体研究所 [16]

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• iSwitch采集 [16]

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• 期刊论文 [16]

发表日期

• 2011 [1]
• 2008 [2]
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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunneling diodes 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Zhang,Yang;  Guan,Min;  Liu,Xingfang;  Zeng,Yiping 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunneling diode  I-v characteristics  Molecular beam epitaxy   Photoluminescence and lasing properties of inas/gaas quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304 作者:  Liang Song;  Zhu Hong-Liang;  Pan Jiao-Qing;  Zhao Ling-Juan;  Wang Lu-Feng 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Metal-organic chemical vapour deposition  Inas/gaas quantum dots  Laser   High-density and narrow size-distribution inas quantum dots formed by a modified two-step growth 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327 作者:  She-Song, Huang;  Zhi-Chuan, Niu;  Feng, Zhan;  Hai-Qiao, Ni;  Huan, Zhao 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Quantum dots  A modified two-step growth   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on inp substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang, Y;  Zeng, YP;  Ma, L;  Wang, BQ;  Zhu, ZP 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunnelling diode  Inp substrate  Molecular beam epitaxy  High resolution transmission electron microscope   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Chen, YH;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth interruption  In segregation  Surface oxide  Molecular beam epitaxy  Quantum dots   Structural and optical properties of inas/gaas quantum dots emitting at 1.5 mu m 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 274, 期号: 1-2, 页码: 78-84 作者:  Gong, Z;  Fang, ZD;  Miao, ZH;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 1.5 mu m light  Emission  Molecular beam epitaxy  Quantum dots   Effects of tmin flow on the interface and optical properties of ingan/gan mutiple quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 53-57 作者:  Liu, JP;  Jin, RQ;  Zhu, JJ;  Zhang, JC;  Wang, JF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 High-resolution x-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Multiple quantum wells  Nitrides   The fabrication and properties of inas/gaas columnal islands 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305 作者:  Zhu, TW;  Bo, X;  Jun, H;  Zhao, FA;  Zhang, CL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas columnal islands  Growth interruption  Space layer  Pl spectra   Abnormal effect of growth interruption on gasb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Wang, YQ;  Wang, WX;  Wang, JN 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth interruption  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Gasb   The influence of growth interruption on quantum dot laser 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350 作者:  Wang, H;  Wang, HL;  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized inas quantum dots  Quantum dots laser  Growth interruption  Band-filling