机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：55/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   Near-Infrared Femtosecond Laser for Studying the Strain in Si1-xGex Alloy Films via Second-Harmonic Generation 期刊论文  OAI收割 ieee photonics journal, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 974-980 Zhao JH (Zhao Ji-Hong); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Chen QD (Chen Qi-Dai); Su W (Su Wen); Jiang Y (Jiang Ying); Chen ZG (Chen Zhan-Guo); Jia G (Jia Gang); Sun HB (Sun Hong-Bo) 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/12/12 CUBIC CENTROSYMMETRIC CRYSTALS  3RD-HARMONIC GENERATION  PHENOMENOLOGICAL THEORY  LAYERS  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  SUSCEPTIBILITY  SPECTROSCOPY  DEFORMATION  REFLECTION   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   DCXRD Investigation of a Ge/Si（001） Island Multilayer Structure 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 145-148 作者:  Xue Chunlai 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23 Investigation of Ge-Si atomic interdiffusion in Ge nano-dots multilayer structure by double crystal X-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 journal of materials science & technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 301-303 Shi WH (Shi Wenhua); Zhao L (Zhao Lei); Luo LP (Luo Liping); Wang QM (Wang Qiming) 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2010/03/29 X-ray diffraction   Persistent Photoconductivity in n-type GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor photonics and technology, 2006, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 77-80 作者:  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 414-417 作者:  Chen Lianghui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang 收藏  |  浏览/下载：169/1  |  提交时间：2010/11/23 Growth of crack-free AlGaN film on thin AlN interlayer by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 Jin RQ; Liu JP; Zhang JC; Yang H 收藏  |  浏览/下载：496/215  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology