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机构
半导体研究所 [40]
采集方式
OAI收割 [40]
内容类型
期刊论文 [29]
学位论文 [6]
专利 [5]
发表日期
2018 [1]
2017 [2]
2016 [1]
2015 [1]
2014 [2]
2010 [1]
更多
学科主题
半导体器件 [40]
半导体材料 [4]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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共40条,第1-10条
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存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体器件
专题:半导体研究所
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95
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感应加热式MOCVD设备的模拟仿真与研制
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
梅书哲
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浏览/下载:179/0
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提交时间:2018/06/11
Mocvd
感应加热
温度均匀性
流场温场
建模仿真
AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2017/06/05
AlN
MOCVD
纳米图形化侧向外延
AlGaN基深紫外激光器
光泵浦激射
纳米压印光刻技术
AlGaN纳米柱
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
张璐
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/06/01
Si
GaN
湿法腐蚀
MOCVD
半极性面
多量子阱
正装结构LED
GaN HEMT 基础问题研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
何晓光
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2016/06/02
GaN
HEMT
2DEG
MOCVD
高阻
多波长硅基混合激光器阵列研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
袁丽君
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2015/05/28
选区金属键合
硅基混合激光器
掺Fe掩埋异质结激光器
掩埋脊波导激光器
多波长混合激光器阵列
AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院大学, 中国科学院大学, 2014, 2014
作者:
冯向旭
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/06/03
AlInGaN
LED
MOCVD
Alingan
Led
Mocvd
Fabrication of GdBa2Cu3O7-delta films by photo-assisted-MOCVD process
期刊论文
OAI收割
physica c-superconductivity and its applications, 2014, 卷号: 501, 页码: 1-6
Li, W
;
Li, GX
;
Zhang, BL
;
Chou, PC
;
Liu, SP
;
Ma, XY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/08/21
High Characteristic Temperature InGaAsP/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114201
Wang Y (Wang Yang)
;
Qiu YP (Qiu Ying-Ping)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Zhu HL (Zhu Hong-Liang)
;
Wang W (Wang Wei)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/12/05
AUGER RECOMBINATION
THRESHOLD CURRENT
DEPENDENCE
DEVICE
Quantum efficiency and temperature coefficients of GaInP/GaAs dual-junction solar cell
期刊论文
OAI收割
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1176-1180
作者:
Zhang H
;
Yin ZG
;
Zhang XW
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浏览/下载:200/42
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提交时间:2010/03/08
quantum efficiency
temperature coefficient
solar cell
带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2009, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 104-109
林涛
;
段玉鹏
;
郑凯
;
崇峰
;
马骁宇
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23