机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [8]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage 期刊论文  OAI收割 carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124 Zhu XF; Li LX; Huang SL; Wang ZG; Lu GQ; Sun CH; Wang LZ 收藏  |  浏览/下载：25/3  |  提交时间：2011/07/05 IRRADIATION  NANOCAVITY   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS   Electron irradiation and thermal annealing effect on GaAs solar cells 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 1998, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 313-322 Xiang XB; Du WH; Chang XL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  solar cells  irradiation   EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263 WONG YW; YANG XQ; CHAN PW; TONG KY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 REACTIVE ATMOSPHERE  BORON  IRRADIATION  SEMICONDUCTORS  JUNCTIONS   HYDROGEN-RELATED DONOR IN SILICON-CRYSTALS GROWN IN A HYDROGEN ATMOSPHERE 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 1992, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 313-316 ZHONG L; WANG ZG; WAN S; ZHU JB; SHIMURA F 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 BANDS