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内容类型

• 期刊论文 [27]
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• 会议论文 [2]

发表日期

• 2007 [2]
• 2006 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [8]
• 半导体物理 [5]

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浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Generation and suppression of deep level defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479 作者:  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Annealing  Defect   Electron irradiation induced defects in high temperature annealed inp single crystal 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 作者:  Wang Bo;  Zhao You-Wen;  Dong Zhi-Yuan;  Deng Ai-Hong;  Miao Shan-Shan 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Electron irradiation  Defect   Electron irradiation-induced defects in inp pre-annealed at high temperature 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Deng, A. H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Defect  Irradiation   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Photoluminescence characteristics of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2005, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 531-535 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium phosphide  Annealing  Photoluminescence   Deep level defects in high temperature annealed inp 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YM;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Defects  Annealing ambience   Microdefects and electrical uniformity of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Defects  Etching  Semiconducting indium phosphide   Influence of semi-insulating inp substrates on inalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Interfaces  Substrates  Molecular beam epitaxy  Phosphides  Semiconducting indium phosphide   Undoped semi-insulating indium phosphide (inp) and its applications 期刊论文  iSwitch采集 Chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Jiao, JH;  Zeng, YP;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12