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• 半导体研究所 [16]

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• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [16]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文  OAI收割 journal of raman spectroscopy, JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2011, 2011, 卷号: 42, 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391, 1388-1391 作者:  Zhang, J;  Tan, PH;  Zhao, WJ;  Lu, J;  Zhao, JH   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 Raman spectroscopy  ultrathin Fe(3)O(4) film  crystal orientation  strain  phonon strain-shift coefficient  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  SPIN-TRANSPORT  MAGNETITE  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  SCATTERING  CORROSION  DEVICES  GROWTH  Raman Spectroscopy  Ultrathin Fe(3)o(4) Film  Crystal Orientation  Strain  Phonon Strain-shift Coefficient  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Spin-transport  Magnetite  Semiconductors  Spintronics  Scattering  Corrosion  Devices  Growth   Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR   Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272 Zhao, YM; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Structural and optical characterization of Zn1-xCdxO thin films deposited by dc reactive magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 942-943 Ma DW; Ye ZZ; Huang JY; Zhao BH; Wan SK; Sun XH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：386/2  |  提交时间：2010/08/12 PHASE EPITAXIAL-GROWTH  PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES  SPRAY-PYROLYSIS  ZNO  MGXZN1-XO   Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：81/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MORPHOLOGY  MODULATIONS  SURFACES  INP(001)  GROWTH  ALLOY  INP   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426 Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/08/12 INP(001)  EPITAXY  GAAS   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 Liao MY; Qin FG; Chai CL; Liu ZK; Yang SY; Yao ZY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：127/13  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  surface morphology  mass-selected low energy ion beam deposition  TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  ATOMIC-FORCE MICROSCOPY  DIAMOND-LIKE CARBON  SILICON  GROWTH  MODEL   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS