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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
1990 [2]
1986 [1]
1985 [1]
1977 [1]
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学科主题
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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限定条件
存缴方式:oaiharvest
内容类型:专利
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Laser source with submicron aperture
专利
OAI收割
专利号: US6445723, 申请日期: 2002-09-03, 公开日期: 2002-09-03
作者:
ZIARI, MEHRDAD
;
DEMARS, SCOTT D.
;
VAIL, EDWARD C.
;
ZHAO, HANMIN
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提交时间:2019/12/24
A semiconductor material comprising two dopants
专利
OAI收割
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:
ALISTAIR, HENDERSON, KEAN
;
HARUHISA, TAKIGUCHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1990253691A, 申请日期: 1990-10-12, 公开日期: 1990-10-12
作者:
OTAKI KANAME
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提交时间:2020/01/18
Optically bistable semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1990181490A, 申请日期: 1990-07-16, 公开日期: 1990-07-16
作者:
NOBUHARA HIROYUKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986259588A, 申请日期: 1986-11-17, 公开日期: 1986-11-17
作者:
HIRANO MASAO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1985225488A, 申请日期: 1985-11-09, 公开日期: 1985-11-09
作者:
MAMINE TAKAYOSHI
;
OKADA TSUNEICHI
;
YONEYAMA OSAMU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser unit
专利
OAI收割
专利号: JP1977106284A, 申请日期: 1977-09-06, 公开日期: 1977-09-06
作者:
KAWAGUCHI HITOSHI
;
KAWAKAMI GOUJI
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提交时间:2020/01/18
Stress reduction in AlGaAs-AlGaAsP multilayer structures
专利
OAI收割
专利号: US3958263, 申请日期: 1976-05-18, 公开日期: 1976-05-18
作者:
PANISH, MORTON B.
;
ROZGONYI, GEORGE ARTHUR
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提交时间:2019/12/26
Light emitting semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: GB1342767A, 申请日期: 1974-01-03, 公开日期: 1974-01-03
作者:
-
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提交时间:2019/12/24