机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50 Hayakawa Y; Okano Y; Hirata A; Imaishi N; Kumagiri Y; Zhong X; Xie X; Yuan B; Wu F; Liu H; Yamaguchi T; Kumagawa M 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 microgravity  Chinese recoverable satellite  GaSb  InxGa1-xSb  dissolution  recrystallization  orientation  FLOATING-ZONE GROWTH  INXGA1-XSB CRYSTALS  GASB  MELT  INSB  DIFFUSION  SILICON  CONVECTION  STRIATION   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS