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机构
半导体研究所 [28]
采集方式
OAI收割 [28]
内容类型
期刊论文 [25]
会议论文 [3]
发表日期
2002 [28]
学科主题
半导体物理 [28]
筛选
浏览/检索结果:
共28条,第1-10条
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发表日期:2002
学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
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Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
OAI收割
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Zhang Y
;
Zhang Y
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
LASERS
GAIN
GAAS
Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376
Lu LW
;
Zhang YH
;
Wang J
;
Ge W
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浏览/下载:135/11
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy growth
P-HEMT and HEMT functional materials
deep centers
ALXGA1-XAS
EPITAXY
TRENDS
Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 1010-1012
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Li CM
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
MICROSCOPY
SURFACES
ISLANDS
LAYER
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
BAND
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
EMISSION
BEHAVIOR
SHIFT
INGAN
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 551-554
作者:
牛智川
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field
期刊论文
OAI收割
international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851
Li MW
;
Hu WR
;
Chen NH
;
Zeng DL
;
Tang ZM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
liquid encapsulant Czochralski (LEC)
growth of GaAs
magnetic field finite-element method
boron oxide
CRYSTAL-GROWTH
HEAT-TRANSFER
CONVECTION
FLOW
SIMULATION
MODEL
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
OAI收割
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
ALLOYS
RELAXATION
GAAS1-XNX
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
OAI收割
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:16/2
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提交时间:2010/10/29
LUMINESCENCE
LOCALIZATION
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 361-364
彭进
;
胡冰
;
胡承勇
;
卞松保
;
杨富华
;
郑厚植
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浏览/下载:130/0
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提交时间:2010/11/23
ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD
期刊论文
OAI收割
plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174
Gu B
;
Xu Y
;
Qin FW
;
Wang SS
;
Sui Y
;
Wang ZG
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浏览/下载:78/7
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提交时间:2010/08/12
ECR plasma
cubic GaN
low pressure MOCVD
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
DIMETHYLHYDRAZINE