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• 上海微系统与信息技术... [5]

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内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2004 [5]

学科主题

• Physics, M... [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：Physics, Multidisciplinary     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Gan, FX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  TELLURIDE GLASSES  HIGH-DENSITY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  GE20TE80-XBIX  AG   Single cell element of chalcogenide random access memory fabricated with the focused ion beam method 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 2054-2056 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILM  CRYSTALLIZATION  TEMPERATURE  MEDIA   Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 1947-1950 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  CRYSTALLIZATION BEHAVIOR  THIN-FILMS  MEMORY  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  MEDIA  SB   Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  AMORPHOUS THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  TELLURIDE GLASSES  MEMORY  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743 Zhang, T; Liu, B; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  TELLURIDE GLASSES  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX