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• 微电子研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2005 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 5，2281-2285 作者:  尹军舰;  张海英;  李海鸥;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管  增强型  耗尽型  阈值电压  Gaas   室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 4，1871-1874 作者:  刘明;  王从舜;  谢常青;  易里成荣;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 共振隧穿二极管  峰谷电流比  峰电流密度   ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究 期刊论文  OAI收割 微细加工技术, 2005, 期号: 1, 页码: 7，6-11,16 作者:  赵新为;  龙世兵;  李志刚;  陈宝钦;  刘明   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 Zep520抗蚀剂   100mm InGaP／GaAs HBT及相关电路关键工艺 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 5，106-110 作者:  石瑞英;  孙海锋;  刘训春;  刘洪民   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 In0.49ga0.51p腐蚀  聚酰亚胺平面化  空气桥