机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [12]

学科主题

• 半导体材料 [12]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition  electrical properties and measurements  scanning electron microscopy  polycrystalline silicon  GRAIN-BOUNDARIES  STATES   Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340 Zhou HY; Qu SC; Wang ZG; Liang LY; Cheng BC; Liu JP; Peng WQ 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 anodic alumina films   Fabrication and properties of Sb-doped ZnO thin films grown by radio frequency (RF) magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 1, 页码: 56-60 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  thermal annealing  X-ray diffraction  RF magnetron sputtering  zinc oxide  semiconducting II-VI materials  P-TYPE ZNO  SPRAY-PYROLYSIS  ZINC-OXIDE   High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   Peculiar photocurrent response due to Gamma-X coupling in a GaAs/AlAs heterostructure 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 643-646 Hu B; Zheng HZ; Peng J; Li GR; Li YH 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELL  STORAGE  SUPERLATTICES   MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells 期刊论文  OAI收割 journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903 Hu ZH (Hu Zhihua); Liao XB (Liao Xianbo); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon  solar cells  photovoltaics  Raman scattering  MICROCRYSTALLINE SILICON  SI NANOCRYSTALS  VOLUME FRACTION  RAMAN  CRYSTALLINITY  FILMS   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 959-962 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Study of persistent photoconductivity and subband electronic properties of the two-dimensional electron gas in modulation doped GaAs/AlGaAs structure 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1379-1383 Shu Q; Shu YC; Zhang GJ; Liu RB; Yao JH; Pi B; Xing XD; Lin YW; Xu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas  quantum Hall effect  SdH oscillations  persistent photoconductivity  HETEROSTRUCTURES  ALXGA1-XAS  SCATTERING  LIFETIME  MOBILITY  GAAS  TE