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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
OAI收割
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319
Zhou WM
;
Wang CY
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dots
strain and stress distribution
strain energy
finite element method
ISLANDS
GROWTH
GAAS
GAAS(001)
EVOLUTION
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a gamma-Al2O3 buffer layer
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 269-273
Shen WJ
;
Wang J
;
Wang QY
;
Duan Y
;
Zeng YP
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ZINC-OXIDE FILMS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SAPPHIRE
GROWTH
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
OAI收割
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION