机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• iSwitch采集 [6]
• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2009 [9]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体化学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fabrication of gan nanowires by ammoniating ga2o3/nicl2 films deposited on si substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 33-35 作者:  Xue, Chengshan;  Wang, Ying;  Zhuang, Huizhao;  Wang, Zouping;  Huang, Yinglong 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Single crystal growth  Chemical vapor deposition processes  Nanomaterials   Electroluminescence from ge on si substrate at room temperature 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: 3 作者:  Hu, Weixuan;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Xue, Haiyun;  Su, Shaojian 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Well-aligned zn-doped inn nanorods grown by metal-organic chemical vapor deposition and the dopant distribution 期刊论文  iSwitch采集 Crystal growth & design, 2009, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: 3292-3295 作者:  Song, Huaping;  Yang, Anli;  Zhang, Riqing;  Guo, Yan;  Wei, Hongyuan 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Synthesis and characterization of gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 17, 页码: 7719-7722 作者:  Wang, Ying;  Xue, Chengshan;  Zhuang, Huizhao;  Wang, Zouping;  Zhang, Dongdong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Cvd  Xrd   Optical and micro-structural properties of gan nanowires by ammoniating ga2o3/nb films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2009, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 565-569 作者:  Zhuang Huizhao;  Li Baoli;  Wang Dexiao;  Shen Jiabing;  Zhang Shiying 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Ammoniating  Gan   A study on a two-step technique of growing ga2o3/zno films ammoniated at different temperatures 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 460-464 作者:  Xue, Shoubin;  Zhang, Xing;  Huang, Ru;  Zhuang, Huizhao 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Gallium nitride  Semiconductors  Nanofabrications   Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 18, 页码: art.no.182505 作者:  Chen L;  Qian X 收藏  |  浏览/下载：84/39  |  提交时间：2010/03/08 annealing   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Well-Aligned Zn-Doped InN Nanorods Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition and the Dopant Distribution 期刊论文  OAI收割 crystal growth & design, 2009, 卷号: 9, 期号: 7, 页码: 3292-3295 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：89/12  |  提交时间：2010/03/08 INDIUM NITRIDE NANOWIRES  GAN