机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2011 [7]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5 作者:  Fu, D.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Xu, Xiaoqing;  Liu, Jianming;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  A-plane inn   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：33/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD