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Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides
期刊论文
OAI收割
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158
作者:
Li, Siqian
;
Lei, Huaping
;
Anglade, Pierre-Matthieu
;
Chen, Jun
;
Ruterana, Pierre
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提交时间:2019/12/20
Inversion domain boundary (IDB)
Group III-nitrides
DFT
Chemical bonding
Electronic structure
Lattice-Polarity-Driven Epitaxy of Hexagonal Semiconductor Nanowires
期刊论文
OAI收割
NANO LETTERS, 2016, 卷号: 16, 期号: 2
作者:
Wang, P
;
Yuan, Y
;
Zhao, C
;
Wang, XQ
;
Zheng, XT
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:
Fu, D.
;
Zhang, R.
;
Liu, B.
;
Xie, Z. L.
;
Xiu, X. Q.
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提交时间:2019/05/12
Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Xu, Xiaoqing
;
Liu, Jianming
;
Wang, Jun
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Wang, Jun
;
Jia, Caihong
;
Liu, Jianming
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
A-plane inn
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
OAI收割
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:32/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies