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• 高能物理研究所 [6]

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内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2013 [6]

学科主题

• Physics [6]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：Physics    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interfacial Bonding and Structure of Bi2Te3 Topological Insulator Films on Si(111) Determined by Surface X-Ray Scattering 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2013, 卷号: 110, 期号: 22, 页码: 226103 作者:  Liu, Y;  王焕华;Wang, HH;  Bian, G;  Zhang, Z;  Lee, SS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/08 X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 13, 页码: 132104 作者:  Xu, XQ;  Li, Y;  Liu, JM;  Wei, HY;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/04/08 Improvement of field emission properties of alpha-Fe2O3 nanoflakes due to the lowered back contact barrier after high energy X-ray irradiation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 18, 页码: 184306 作者:  Wu, JQ;  Wang B(王波);  伊福廷;Wang, B;  Yi, FT;  Deng, SZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/08 Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 13, 页码: 131914 作者:  Fan, LL;  Chen, S;  Wu, YF;  Chen, FH;  Chu, WS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/04/08 Synchrotron radiation study of VO2 crystal film epitaxial growth on sapphire substrate with intrinsic multi-domains 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: 11604 作者:  Fan, LL;  Wu, YF;  Si C(姒程);  Si, C;  Pan, GQ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/08 Direct graphene synthesis on SiO2/Si substrate by ion implantation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 193102 作者:  Zhang, R;  Wang, ZS;  Zhang, ZD;  Dai, ZG;  Wang, LL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/04/08