机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2015 [5]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459 Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/03/23 Specific detection of mercury(II) irons using AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2015, 卷号: 425, 页码: 381-384 Chengyan Wang; Yang Zhang; Min Guan; Lijie Cui; Kai Ding; Bintian Zhang; Zhang Lin; Feng Huang; Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/03/29 A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor 期刊论文  OAI收割 chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 58501-58504 Lei Cui; Quan Wang; XiaoLiang Wang; HongLing Xiao; CuiMei Wang; LiJuan Jiang; Chun Feng; HaiBo Yin; JiaMin Gong; BaiQuan Li; ZhanGuo Wang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/29 Strained Germanium-Tin (GeSn) P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Featuring High Effective Hole Mobility 期刊论文  OAI收割 international journal of thermophysics, International Journal of Thermophysics, 2015, 2015, 卷号: 36, 36, 页码: 980–986, 980–986 作者:  Yan Liu;  Jing Yan;  Hongjuan Wang;  Buwen Cheng;  Genquan Han   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/03/22 High hole mobility GeSn on insulator formed by self-organized seeding lateral growth 期刊论文  OAI收割 journal of physics d: applied physics, Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 2015, 卷号: 48, 48, 页码: 445103, 445103 作者:  Zhi Liu;  Juanjuan Wen;  Xu Zhang;  Chuanbo Li;  Chunlai Xue   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/02/16