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  • 半导体研究所 [5]
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  • 期刊论文 [5]
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  • 2018 [5]
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Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   B. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/15
Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation 期刊论文  OAI收割
Journal of Materials Science, 2018, 卷号: 54, 期号: 2, 页码: 1147-1152
作者:  Min Liu;  Shuyuan Zhang;  Xiang Yang;  Xue Chen;  Zhongchao Fan;  Xiaodong Wang;  Fuhua Yang;  Chao Ma;  Zhi He
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/12
Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 7756-7762
作者:  Xu Han;   Yuantao Zhang;   Pengchong Li ;   Long Yan ;   Gaoqiang Deng ;   Liang Chen ;   Ye Yu ;   Degang Zhao ;   Jingzhi Yin
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/19
Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiN x interlayer 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 122, 页码: 74-79
作者:  Gaoqiang Deng ;   Yuantao Zhang ;   Ye Yu ;   Zhen Huang ;   Xu Han ;   Liang Chen ;   Long Yan ;   Pengchong Li ;   Xin Dong ;   Degang Zhao ;   Guotong Du
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/11/19
Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 151607
作者:  Gaoqiang Deng;   Yuantao Zhang;   Ye Yu;   Long Yan;   Pengchong Li;   Xu Han;   Liang Chen;   Degang Zhao;   Guotong Du
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19