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  • 半导体研究所 [6]
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  • 期刊论文 [6]
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  • 2019 [6]
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Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2019, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 698-701
作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaolin Xu;   Quan Wang ;   Chun Feng;   Honglin Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li
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Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
作者:  X.F. Liu ;   G.G. Yan ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   Y.W. He ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   M. Guan ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4
作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   Z.X. Wen ;   J. Chen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   F. Zhang ;   X.H. Zhang ;   X.G. Li ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng ;   Z.G. Wang
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The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179
作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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The composition and interfacial properties of annealed AlN films deposited on 4H-SiC by atomic layer deposition 期刊论文  OAI收割
Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 卷号: 94, 页码: 107-115
作者:  Jun Chen ;   Bowen Lv ;   Feng Zhang ;   Yinshu Wang ;   Xingfang Liu ;   Guoguo Yan ;   Zhanwei Shen ;   Zhengxin Wen ;   Lei Wang ;   Wanshun Zhao ;   Guosheng Sun ;   Chao Liu ;   Yiping Zeng
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Unique and Tunable Photodetecting Performance for Two- Dimensional Layered MoSe 2 /WSe 2 p−n Junction on the 4H-SiC Substrate 期刊论文  OAI收割
Wei Gao; Feng Zhang; Zhaoqiang Zheng; Jingbo Li, 2019, 卷号: 11, 期号: 21, 页码: 19277-19285
作者:  Wan G(万刚)
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