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• 近代物理研究所 [3]

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• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2020 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Comparison of cavities and extended defects formed in helium-implanted 6H-SiC at room temperature and 750 degrees C* 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Liao, Qing;  Li, Bingsheng;  Kang, Long;  Li, Xiaogang   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/15 He implantation  cavities  extended defects  transmission electron microscopy  recrystallization   Characterization of swift heavy ion tracks in MoS(2)by transmission electron microscopy* 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Xu, Li-Jun;  Zhai, Peng-Fei;  Zhang, Sheng-Xia;  Zeng, Jian;  Hu, Pei-Pei   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/13 ion track  MoS2  transmission electron microscopy (TEM)  recrystallization   Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2020, 卷号: 478, 页码: 5-10 作者:  Huang, Mingmin;  Yang, Zhimei;  Wang, Shaomin;  Liu, Jiyuan;  Gong, Min   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/12/15 Schottky barrier diodes  Raman spectroscopy  Recrystallization effect  Swift heavy ion  SiC