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浏览/检索结果: 共87条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in &beta;-Ga2O3 power diodes 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123 作者:  Liu, Jinyang;  Han, Zhao;  Ren, Lei;  Yang, Xiao;  Xu, Guangwei   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/11/10 Regulation of UV light on the hot-electron current of Au/TiO2:Tb3+Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2022, 卷号: 308 作者:  Liu, Shu Li;  Fei, Guang Tao;  Xia, Kai;  Xu, Shao Hui;  Gao, Xu Dong   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/01/10 Semiconductors  Sensors  Doping  TiO 2  Barriers   Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70 作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/04/26 trench-gate-type super barrier rectifier  charge coupling  breakdown voltage  stepped oxide   Fe-Ion-Catalyzed Synthesis of CdSe/Cu Core/Shell Nanowires 期刊论文  OAI收割 INORGANIC CHEMISTRY, 2021, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 2614-2622 作者:  Chen, Mao;  Xu, Lekai;  Wang, Jiao;  Liu, Baokun;  Wang, Kun   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/08/31 Role of Interface Induced Gap States in Polar AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) Schottky Diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 50, 期号: 6, 页码: 3731-3738 作者:  Jadhav, Aakash;  Dai, Yijun;  Upadhyay, Prashant;  Guo, Wei;  Sarkar, Biplab   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/12/01 Simulation Study of Performance Degradation in beta-Ga2O3 (001) Vertical Schottky Barrier Diodes Based on Anisotropic Mobility Modeling 期刊论文  OAI收割 ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 55005 作者:  Li, Zhipeng;   Wang, Quan;   Feng, Chun;   Wang, Qian;   Niu, Di;   Jiang, Lijuan;   Li, Wei;   Xiao, Hongling;   Wang, Xiaoliang   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/07/25 Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes 期刊论文  OAI收割 MICROMACHINES, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 259 作者:  Zhang, Shiyu;   Liu, Zeng;   Liu, Yuanyuan;   Zhi, Yusong;   Li, Peigang;   Wu, Zhenping;   Tang, Weihua   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/09/30 Recrystallization effects in GeV Bi ion implanted 4H-SiC Schottky barrier diode investigated by cross-sectional Micro-Raman spectroscopy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2020, 卷号: 478, 页码: 5-10 作者:  Huang, Mingmin;  Yang, Zhimei;  Wang, Shaomin;  Liu, Jiyuan;  Gong, Min   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/12/15 Schottky barrier diodes  Raman spectroscopy  Recrystallization effect  Swift heavy ion  SiC   The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 282 作者:  Xiuxia Yang;  Zhe Cheng;  Zhiguo Yu;  Lifang Jia;  Lian Zhang;  Yun Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/11/26 Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 40, 页码: 404003 作者:  J X Ran;   B Y Liu;   X L Ji;   A Fariza;   Z T Liu;   J X Wang;   P Gao;   T B Wei   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/05/24