机构

• 半导体研究所 [11]

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• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
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• 2002 [1]
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学科主题

• 光电子学 [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN   Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102 作者:  Su SJ;  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：51/1  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS  DEPENDENCE  SILICON  GAP   Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 mu m 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: art.no.111912 Yang T (Yang, Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi, Jun); Aoki K (Aoki, Kanna); Nishioka M (Nishioka, Masao); Arakawa Y (Arakawa, Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 Lin, T; Zheng, K; Wang, CL; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2010/03/08 diffusion  metalorganic vapor phase epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes   Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114 Wang H (Wang H.); Huang Y (Huang Y.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Wang LL (Wang L. L.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Zhang SM (Zhang S. M.); Jiang DS (Jiang D. S.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  ELECTRON-TRANSPORT  EPITAXIAL GAN  BAND-GAP  DISLOCATIONS  SAPPHIRE  ALN   High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 27-31 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 selective area growth  ultra-low pressure  InGaAsP  tapered mask  integrated device  BURIED-HETEROSTRUCTURE  MONOLITHIC INTEGRATION  SELECTIVE MOVPE  LASER  MODULATOR   High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD 会议论文  OAI收割 3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005 Zhao, Q; Pan, JQ; Zhang, J; Zhu, HL; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：156/44  |  提交时间：2010/03/29 selective area growth   Metal-free growth of Si/SiO2 nanowires by annealing SiOx (x < 2) films deposited by PECVD 会议论文  OAI收割 symposium on group-4 semiconductor nanostructures held at the 2004 mrs fall meeting, boston, ma, nov 29-dec 02, 2004 Wang, XX; Zhang, JG; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：202/48  |  提交时间：2010/03/29 SILICON NANOWIRES   The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  excitation transfer mechanism  GAN  InGaN  MOCVD  INGAN SINGLE  EMISSION  POLARIZATION   New method for the growth of highly uniform quantum dots 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY