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• 半导体研究所 [13]

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• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：196/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS   Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS   Raman scattering from GaP nanowires 期刊论文  OAI收割 european physical journal b, 2005, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-513 de la Chapelle, ML; Han, HX; Tang, CC 收藏  |  浏览/下载：92/19  |  提交时间：2010/03/17 GALLIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES   Influence of exotic Mn on magnetic properties of YCo5.0-xMnxGa7.0 (0.05 <= x <= 3.0) 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 81, 期号: 6, 页码: 1309-1312 Chang H; Rao G; Liang J; Guo Y; Liu S; Du H 收藏  |  浏览/下载：116/25  |  提交时间：2010/03/17 LU SINGLE-CRYSTALS   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：99/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Temperature quenching mechanisms for photoluminescence of MBE-grown chlorine-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 548-553 Wang SZ; Xie SW; Pang QJ; Zheng H; Xia YX; Ji RB; Wu Y; He L; Zhu ZM; Li GH; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  ZnSe : Cl  photoluminescence  quenching mechanisms  QUANTUM-WELLS   Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY