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Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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提交时间:2019/05/12
Defect
Generation and suppression of deep level defects in inp
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479
作者:
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Defect
Electron irradiation induced defects in high temperature annealed inp single crystal
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607
作者:
Wang Bo
;
Zhao You-Wen
;
Dong Zhi-Yuan
;
Deng Ai-Hong
;
Miao Shan-Shan
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Inp
Electron irradiation
Defect
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Miao, Shanshan
;
Deng, Aihong
;
Yang, Jun
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Electron irradiation-induced defects in inp pre-annealed at high temperature
期刊论文
iSwitch采集
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
;
Deng, A. H.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Defect
Irradiation
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Miao, SS (Miao, Shanshan)
;
Deng, AH (Deng, Aihong)
;
Yang, J (Yang, Jun)
;
Wang, B (Wang, Bo)
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/29
DOPED SEMIINSULATING INP
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
Photoluminescence characteristics of inp annealed in phosphorus and iron phosphide ambiences
期刊论文
iSwitch采集
Materials science in semiconductor processing, 2005, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 531-535
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Photoluminescence
Annealing ambient controlled deep defect formation in inp
期刊论文
iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Deep level defects in high temperature annealed inp
期刊论文
iSwitch采集
Science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326
作者:
Dong, ZY
;
Zhao, YM
;
Zeng, YP
;
Duan, ML
;
Lin, LY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Inp
Defects
Annealing ambience