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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Zhang B
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浏览/下载:198/0
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:108/0
  |  
提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE