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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [3]
2010 [1]
2009 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
OAI收割
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
收藏
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377
作者:
Jia CH
;
Zhou XL
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浏览/下载:116/26
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提交时间:2010/04/13
TiO3
Growth behavior
MOCVD
InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
PRESSURE
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
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polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
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