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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
收藏
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浏览/下载:170/19
  |  
提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2007, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: art.no.125404
Ding F (Ding Fei)
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/29
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy
photoluminescence
yellow luminescence
N-TYPE GAN
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
THIN-FILMS
DOPED GAN
DEEP LEVELS
ORIGIN
PHOTOLUMINESCENCE
DEPENDENCE
VACANCIES
EPITAXY