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浏览/检索结果: 共674条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of carrier transport and collection characteristics for GaAs-based betavoltaic batteries 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2021, 卷号: 11, 期号: 10 作者:  R. Zheng;  Y. Wang;  J. Lu;  X. Li;  Z. Chen   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/06/13 1.3 μm p-Modulation Doped InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers with High Speed Direct Modulation Rate and Strong Optical Feedback Resistance 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2020, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 980 作者:  Xia-Yida MaXueer;   Yi-Ming He;   Zun-Ren Lv;   Zhong-Kai Zhang;   Hong-Yu Chai;   Dan Lu;   Xiao-Guang Yang;   Tao Yang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/05/24 Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   Development of Modulation p-Doped 1310 nm InAs/GaAs Quantum Dot Laser Materials and Ultrashort Cavity Fabry-Perot and Distributed-Feedback Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 ACS PHOTONICS, 2018 作者:  Wang, Jie;  Zhang, Ruiying(张瑞英);  Ning, Jiqiang(宁吉强);  Min, Jiahua;  Zheng, Changcheng   |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/03/27 ALD Al2O3 passivation of Lg=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 solid state electronics, 2017 作者:  Wang SK(王盛凯);  Chang HD(常虎东);  Sun B(孙兵);  Liu HG(刘洪刚);  Niu JB(牛洁斌)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/05/16 Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328 作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Liang, S.;  Zhu, L.;  Li, W. D. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Interface Chemistry  Xps Electrical Properties  Cmos Devices   High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20 InAs/GaAsSb superlattices  InAs substrates  strain balance  quantum efficiency  detectivity   Characteristics of InP on GaAs substrate using Zn-doped Al(Ga)InAs metamorphic buffers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2017 作者:  He, Yang（何洋）;  Sun, Yurun（孙玉润）;  Zhao, Yongming（赵勇明);  Yu, Shuzhen(于淑珍）;  Dong, Jianrong（董建荣）   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05 00-nm Gate-Length GaAs mHEMTs using Si-doped InP/InAlAs schottky layers and atomic layer deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz 会议论文  OAI收割 作者:  Wang SK(王盛凯);  Chang HD(常虎东)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/18 Experimental study of ultrafast carrier dynamics in polycrystalline ZnTe nanofilm 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Jia Lin;  Tang Da-Wei;  Zhang Xing 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/10/27 zinc telluride  polycrystalline  femtosecond laser  carrier