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浏览/检索结果: 共68条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 InGaAsSb短波红外探测器材料生长与器件设计 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  李农   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/09/22 The investigations to eliminate the bias dependency of quantum efficiency of InGaAsSb nBn photodetectors for extended short wavelength infrared detection 期刊论文  OAI收割 Infrared Physics & Technology, 2020, 卷号: 111, 页码: 103461 作者:  Nong Li;   Weiqiang Chen;   Danong Zheng;   Ju Sun;   Qingxuan Jia;   Junkai Jiang;   Guowei Wanga;   Dongwei Jianga;   Yingqiang Xua;   Zhichuan Niu   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/05/24 Mid-infrared vertical cavity laser 专利  OAI收割 专利号: WO2019018411A1, 申请日期: 2019-01-24, 公开日期: 2019-01-24 作者:  JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR;  LASCOLA, KEVIN;  SEGAL, STEPHEN;  TOWNER, FREDRICK;  CABLE, ALEX   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots 期刊论文  OAI收割 Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 14 作者:  P.Klenovsky;  A.Schliwa;  D.Bimberg   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/08/24 cyclotron-resonance,strain distribution,optical-properties,semiconductors,energy,gap,heterostructures   High performance continuous-wave InP-based 2.1 µm superluminescent diode with InGaAsSb quantum well and cavity structure suppression 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 页码: 161107 作者:  Dongbo Wang;   Jinchuan Zhang;   Chuncai Hou;   Yue Zhao;   Fengmin Cheng;  Xuefeng Jia;   Shenqiang Zhai;   Ning Zhuo;   Junqi Liu;   Fengqi Liu;   Zhanguo Wang   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/11/12 Improved performance of InP-based 2.1 µm InGaAsSb quantum well lasers using Sb as a surfactant 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 113, 页码: 251101 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/12 中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 柴小力 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/05/31 窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  DBR光栅   一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN106300015A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04 作者:  廖永平;  张宇;  魏思航;  郝宏玥;  徐应强   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法 专利  OAI收割 专利号: CN106300014A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04 作者:  于春满;  朱海军;  张兴   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利  OAI收割 专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09 作者:  于春满;  朱海军;  张兴   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18