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• 半导体研究所 [23]

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• OAI收割 [23]

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发表日期

• 2011 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-Zn(4)Sb(3): An ab initio theoretical study 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 24, 页码: 241901, 241901 作者:  Chen, WB;  Li, JB;  Chen, WB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 PHONON-GLASS  INTERSTITIAL ZN  ZN4SB3  ENERGY  ZINC  Phonon-glass  Interstitial Zn  Zn4sb3  Energy  Zinc   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：65/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：131/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Sixfold symmetry of excitonic transition energies in c-plane for wurtzite GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 151111 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES   Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 Wang B (Wang Bo); Zhao YW (Zhao You-Wen); Dong ZY (Dong Zhi-Yuan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Miao SS (Miao Shan-Shan); Yang J (Yang Jun) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 InP   Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 8, 页码: art.no.081201 Li J (Li Jingbo); Wei SH (Wei Su-Huai); Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  WAVE BASIS-SET  II-VI  ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FABRICATION  DEFECTS  DEVICES   Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 SOI  nanostructure  microelectronic materials   Transport properties through quantum dot in a vertical electric field 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 17, 期号: 1-4, 页码: 147-148 Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  transport  electric field  HOLE TRANSPORT   Transport properties through quantum dot in a vertical electric field 会议论文  OAI收割 international conference on superlattices nano-structures and nano-devices (icsnn-02), toulouse, france, jul 22-26, 2002 Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 HOLE TRANSPORT