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半导体研究所 [21]
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OAI收割 [21]
内容类型
期刊论文 [16]
学位论文 [3]
专利 [2]
发表日期
2017 [1]
2016 [2]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [2]
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学科主题
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半导体物理 [3]
半导体器件 [2]
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专题:半导体研究所
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AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
深紫外LED
氮化铝(AlN)
成核层
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:497/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/07/17
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
期刊论文
OAI收割
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/08/16
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
期刊论文
OAI收割
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/11/23
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
刘斌
;
陈涌海
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
作者:
赵冀
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1740-1743
作者:
陈涌海
;
杨少延
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23