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• 半导体研究所 [19]

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• 期刊论文 [19]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [2]
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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dipolar and quadrupolar modes of sio2/au nanoshell enhanced light trapping in thin film solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 8, 页码: 4 作者:   收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of algan layer parameter on ultraviolet response of n(+)-gan/i-alxga1 (-) n-x/n(+)-gan structure ultraviolet-infrared photodetector 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909 作者:   收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ultraviolet and infrared photodetector  Quantum efficiency   Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Zhang Yun-Xiao;  Liao Zai-Yi;  Zhao Ling-Juan;  Pan Jiao-Qing;  Zhu Hong-Liang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Electroabsorption modulator  Intra-step quantum wells  Uni-traveling-carrier rf-gain   Inp based pd/eam integrated photonic switch 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Zhang Yun-Xiao;  Liao Zai-Yi 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium-induced effect on polarized electroluminescence from ingan/gan mqws light emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Ruan Jun;  Yu Tong-Jun;  Jia Chuan-Yu;  Tao Ren-Chun;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 High-performance evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2393-2397 作者:  Zhang Yun-Xiao;  Liao Zai-Yi;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/05/12 Evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiode  Multimode diluted waveguide  Beam propagation method  1-db compression current   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in inn films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Zhang Zeng;  Zhang Rong;  Xie Zi-Li;  Liu Bin;  Xiu Xiang-Qian 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Dislocation  Carrier origination  Localization   A method to analyze insertion loss of electroabsorption-modulator using photocurrent and power transmission vs. wavelength 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3135-3139 作者:  Liao Zai-Yi;  Zhao Ling-Juan;  Zhang Yun-Xiao;  Bian Jing;  Pan Jiao-Qing 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Electroabsorption modulator  Insertion loss  Absorbed curve  Photocurrent   Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes on quantum well widths 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647 作者:  Zhang Yang;  Zhang Yu;  Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunnelling diode  Molecular beam epitaxy   Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474 作者:  Zhang Yang;  Han Chun-Lin;  Gao Jian-Feng;  Zhu Zhan-Ping;  Wang Bao-Qiang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunnelling diode  Molecular beam epitaxy