机构

• 半导体研究所 [19]

采集方式

• iSwitch采集 [19]

内容类型

• 期刊论文 [19]

发表日期

• 2011 [5]
• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [7]
• 2007 [2]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Organic light-emitting diodes with integrated inorganic photo detector for near-infrared optical up-conversion 期刊论文  iSwitch采集 Organic electronics, 2011, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 2090-2094 作者:  Guan, Min;  Li, LinSen;  Cao, GuoHua;  Zhang, Yang;  Wang, BaoQiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Hybrid up-conversion device  Organic light-emitting diode  Moo(3)-doped cupc  Interface layer   Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunneling diodes 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1 作者:  Zhang,Yang;  Guan,Min;  Liu,Xingfang;  Zeng,Yiping 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunneling diode  I-v characteristics  Molecular beam epitaxy   Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Cadmium compounds  Semiconducting ii-vi materials   Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043 作者:  Yang, Qiumin;  Zhao, Jie;  Guan, Min;  Liu, Chao;  Cui, Lijie 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cdse  Molecular beam epitaxy  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Electron mobility in modulation-doped alsb/inas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Preparation and optical performance of freestanding gan thick films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Hu Qiang;  Wei Tongbo;  Duan Ruifei;  Yang Jiankun;  Huo Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Freestanding thick films  Stress release  Photoluminescence   Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Observation of n-shaped negative differential resistance in gaas-based modulation-doped field effect transistor with inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Li, Yueqiang;  Wang, Xiaodong;  Xu, Xiaona;  Liu, Wen;  Chen, Yanling 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing study of carrier concentration in gradient-doped gaas/gaalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 作者:  Zhang, Yijun;  Chang, Benkang;  Yang, Zhi;  Niu, Jun;  Xiong, Yajuan 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of nonpolar a-plane gan on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 作者:  Gao, Haiyong;  Yan, Fawang;  Zhang, Yang;  Li, Jinmin;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Nonpolar  Mocvd  Nano-patterned